參數(shù)資料
型號: MMBTA63LT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Darlington Transistors PNP Silicon
中文描述: 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: MMBTA63LT1G
MMBTA63LT1, MMBTA64LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc)
V
(BR)CEO
30
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc)
I
CBO
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0.1 mAdc)
MMBTA63
MMBTA64
MMBTA63
MMBTA64
h
FE
5,000
10,000
10,000
20,000
V
CE(sat)
1.5
Vdc
Base Emitter On Voltage
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
f
T
125
MHz
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MMBTA64_Q 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MMBTA64-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel