• 參數(shù)資料
    型號(hào): MMBTA56
    廠(chǎng)商: Electronic Theatre Controls, Inc.
    英文描述: Mini size of Discrete semiconductor elements
    中文描述: 迷你型離散半導(dǎo)體元件
    文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
    文件大?。?/td> 77K
    代理商: MMBTA56
    3
    Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
    PACKAGE DIMENSIONS
    CASE 318–08
    ISSUE AE
    SOT–23 (TO–236AB)
    D
    J
    K
    L
    A
    C
    B S
    H
    G
    V
    3
    1
    2
    DIM
    A
    B
    C
    D
    G
    H
    J
    K
    L
    S
    V
    MIN
    0.1102
    0.0472
    0.0350
    0.0150
    0.0701
    0.0005
    0.0034
    0.0140
    0.0350
    0.0830
    0.0177
    MAX
    0.1197
    0.0551
    0.0440
    0.0200
    0.0807
    0.0040
    0.0070
    0.0285
    0.0401
    0.1039
    0.0236
    MIN
    2.80
    1.20
    0.89
    0.37
    1.78
    0.013
    0.085
    0.35
    0.89
    2.10
    0.45
    MAX
    3.04
    1.40
    1.11
    0.50
    2.04
    0.100
    0.177
    0.69
    1.02
    2.64
    0.60
    MILLIMETERS
    INCHES
    NOTES:
    1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
    3. MAXIUMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
    FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
    IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
    MATERIAL.
    STYLE 6:
    PIN 1.
    BASE
    EMITTER
    COLLECTOR
    2.
    3.
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    MMBTA56_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MMBTA56-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2