參數(shù)資料
型號(hào): MMBTA14LT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Darlington Amplifier Transistors
中文描述: 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: MMBTA14LT1G
MMBTA13LT1, MMBTA14LT1
http://onsemi.com
5
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.7
0.5
r
2.0
5.0
1.0
0.5
0.2
0.1
R
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20
50
10
200
500
100
1.0k
2.0k
5.0k
10k
Figure 13. Active Region Safe Operating Area
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0k
700
500
0.4
300
200
100
70
50
30
20
10
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
10
20
40
I
T
A
= 25
°
C
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
Z
JC(t)
= r(t)
R
JC
T
Z
JA(t)
= r(t)
R
JA
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
JC(t)
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA(t)
1.0 ms
100 s
T
C
= 25
°
C
1.0 s
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
DUTYCYCLE
t1f
t1
tP
PEAK PULSE POWER = P
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA14LT1 Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
MMBTA56LT1 Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅(qū)動(dòng)器晶體管)
MMBV109LT1G Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3 Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3G Silicon Epicap Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA14LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23
MMBTA14LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-23
MMBTA14-T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14-TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA20LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2