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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA06-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | MMBTA06-GS18 |
VISHAY
MMBTA06
Document Number 85126
Rev. 1.2, 01-Sep-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
3
2
E
B
C
3
1
2
18822
Small Signal Transistor (NPN)
Features
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switch-
ing and amplifier applications.
As complementary type, the PNP tranistor
MMBTA56 is recommended.
This transistor is also available in the TO-92 case
with the type designation MPSA06.
Mechanical Data
Case: SOT-23 Plastic case
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Parts Table
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
1) Device on fiberglass substrate, see layout on third page.
2) Device on alumina substrate.
Maximum Thermal Resistance
1) Device on fiberglass substrate, see layout on third page.
Part
Ordering code
Marking
Remarks
MMBTA06
MMBTA06-GS18 or MMBTA06-GS08
1GM
Tape and Reel
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector - base voltage
VCBO
80
V
Collector - emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter - base voltage
VEBO
4.0
V
Collector current
IC
500
mA
Power dissipation
TSB = 50 °C
255 1)
mW
TSB = 50 °C
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambiant air
RthJA
560 1)
°C/W
Junction temperatuer
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 65 to + 150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06WT1 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42LT1 | 300 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42T/R | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA43D87Z | 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA43 | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA06LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23 |
| MMBTA06LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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