參數資料
型號： MMBTA05
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 1/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： MMBTA05
2005. 6. 28
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA05
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 3
DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURES
Complementary to MMBTA55.
Driver Stage Application of 20 to 25 Watts Amplifiers.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=60V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
ICEO
VCE=60V, IB=0
-
100
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, IB=0
60
-
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=1V, IC=10mA
100
-
hFE(2)
VCE=1V, IC=100mA
100
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=100mA, IB=10mA
-
0.25
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=1V, IC=100mA
-
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=1V, IC=10mA
80
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
-
10
-
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
500
mA
Emitter Current
IE
-500
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55
150
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
Type Name
Marking
Lot No.
ACX
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PDF描述
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MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA06LT3 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA05LT3 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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