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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT6520 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 高壓晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | MMBT6520 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –1.0 mA, VCE = –10 V)
(IC = –10 mA, VCE = –10 V)
(IC = –30 mA, VCE = –10 V)
(IC = –50 mA, VCE = –10 V)
(IC = –100 mA, VCE = –10 V)
hFE
20
30
30
20
15
—
—
200
200
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mA, IB = –1.0 mA)
(IC = –20 mA, IB = –2.0 mA)
(IC = –30 mA, IB = –3.0 mA)
(IC = –50 mA, IB = –5.0 mA)
VCE(sat)
—
—
—
—
–0.30
–0.35
–0.50
–1.0
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mA, IB = –1.0 mA)
(IC = –20 mA, IB = –2.0 mA)
(IC = –30 mA, IB = –3.0 mA)
Base–Emitter On Voltage
(IC = –100 mA, VCE = –10 V)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
—
—
–0.75
–0.85
–0.90
Vdc
VBE(on)
—
–2.0
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –10 mA, VCE = –20 V, f = 20 MHz)
fT
40
200
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB= –20 V, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
6.0
pF
Emitter–Base Capacitance
(VEB= –0.5 V, f = 1.0 MHz)
Ceb
—
100
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT6520LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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