參數(shù)資料
型號： MMBT6520
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-TSSOP -40 to 125
中文描述： 高壓晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： MMBT6520
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 7. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
t
10 k
7.0 k
100
200
300
500
700
1.0 k
2.0 k
3.0 k
5.0 k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
Figure 8. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
r
R
10 k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
t, TIME (ms)
Figure 9. Thermal Response
+10.8 V
–9.2 V
+VCC
2.2 k
20 k
50
50
SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
VCC ADJUSTED
FOR VCE(off) = 100 V
APPROXIMATELY
–1.35 V
(ADJUST FOR V(BE)off = 2.0 V)
PULSE WIDTH
≈
100
μ
s
tr, tf
≤
5.0 ns
DUTY CYCLE
≤
1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
Z
θ
JC(t) = r(t)
R
θ
JC TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
Z
θ
JA(t) = r(t)
R
θ
JA TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
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MMBT6520LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT6520LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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