參數(shù)資料
型號： MMBT6517LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-TSSOP -40 to 125
中文描述： 高壓晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT6517LT1
TO-263 / D
2
PAK
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
1
2
3
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
9.65
Max
10.69
14.60
15.88
0.51
1.14
2.29
2.79
4.37
4.83
1.14
1.40
1.14
1.40
8.25
9.25
0.30
0.64
2.03
2.92
2.29
2.79
A
B
E
G
J
L
M
N
P
K
S
M
H
R
D
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
3.20
Max
3.50
4.59
5.16
20.80
21.30
19.70
20.20
2.10
2.40
0.51
0.76
15.90
16.40
1.70
3.10
3.30
3.50
2.70
4.51
5.20
5.70
1.12
1.22
2.90
3.30
11.70
12.80
4.30 Typical
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
J
G
H H
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
B
J
R
Case
-
-
+
Case Positive
Case Negative
TO-220AB
TO-220AC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
Max
14.22
15.88
9.65
10.67
2.54
3.43
5.84
12.70
6.86
6.35
14.73
2.29
2.79
0.51
3.53
3.56
1.14
4.09
4.83
1.14
1.40
0.30
0.64
2.03
2.92
4.83
5.33
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
Min
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
TO-252 / DPAK
SOT-143
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
2.80
3.04
1.20
1.40
0.80
1.20
0.37
0.46
0.76
0.89
1.92 BSC
1.72 BSC
0.085
0.130
0.051
0.127
0.25
0.55
1.00
1.69
2.10
2.64
All Dimensions in mm
E
K
L
J
B
S
D
C
TOP VIEW
A
M
G
H
SOT-343 / SOT-143
D
E
C
B
J
R
TO-220AC-P
H
R
TO-3P
TO-3P-P
P.30
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5088LT1 Low Noise Transistors(NPN Silicon)
MMBTA20LT1 General Purpose Amplifier
MMBTA20 NPN (GENERAL POUPOSE TRANSISTOR)
MMBTA20 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY
MMBTA20LT1 General Purpose Amplifier(NPN Silicon)
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參數(shù)描述
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
MMBT6517LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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