參數(shù)資料
型號： MMBT6429LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
中文描述： 放大器晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT6429LT1
D
H
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
4.32
Max
4.83
4.32
4.78
12.50
15.62
0.36
0.56
3.15
3.94
2.29
2.79
1.14
1.40
TO-92
Lead configuration shown is for bulk product packaging only.
See ANSI/EIA-486 for Radial Tape specifications.
A
B
D
E
G
G
C
+
-
+
-
WOG / AM
Dim
A
B
C
D
E
G
Min
8.84
Max
9.86
4.00
4.60
0.81
27.90
25.40
0.71
4.60
5.60
A
A
B
C
D
A
B
C
D
Dim
A-405
DO-35
DO-41
Plastic
DO-41
Glass
DO-15
DO-201
DO-201AD
R-6
T-1
5W
5KP
5KW
Min
25.40
Max
Min
4.10
4.06
5.50
Max
5.20
Min
0.53
0.71
0.686
Max
0.64
Min
2.00
2.00
2.60
Max
2.70
25.40
4.00
0.60
2.00
25.40
5.21
0.864
2.72
25.40
4.70
0.863
2.71
25.40
7.62
0.889
3.60
25.40
8.50
9.53
0.96
1.06
4.80
5.21
25.40
7.20
9.50
1.20
1.30
4.80
5.30
25.40
8.60
9.10
1.20
1.30
8.60
9.10
25.40
2.60
3.20
0.53
0.64
2.20
2.60
25.40
8.38
8.89
0.94
1.09
3.30
3.68
25.40
8.60
0.95
1.07
9.53
25.40
9.00
1.20
1.30
8.00
Axial Devices (Through-Hole)
Millimeters
SOP-8 / TSSOP-8
Min.
A
1.35
/ 1.0
1.75
/ 1.2
A1
0.10
/ 0.1
0.25
/ 0.15
D
4.80
/ 2.9
5.00
/ 3.1
E
3.80
/ 4.3
4.00
/ 4.5
H
5.80
/ 6.2
6.20
/ 6.6
L
0.40
/ -
1.27
/ -
e1
0.33
/ -
0.51
/ -
e2
1.27BSC
/ 0.65BSC
Dim
Max.
H
E
e1
e2
D
A
A1
0.004max.
SOP-8 / TSSOP-8
P.31
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10LT1 VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)
MMBT6517LT1 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-TSSOP -40 to 125
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參數(shù)描述
MMBT6429LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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