參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6429LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-18, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT6429LT1
D
H
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
4.32
Max
4.83
4.32
4.78
12.50
15.62
0.36
0.56
3.15
3.94
2.29
2.79
1.14
1.40
TO-92
Lead configuration shown is for bulk product packaging only.
See ANSI/EIA-486 for Radial Tape specifications.
A
B
D
E
G
G
C
+
-
+
-
WOG / AM
Dim
A
B
C
D
E
G
Min
8.84
Max
9.86
4.00
4.60
0.81
27.90
25.40
0.71
4.60
5.60
A
A
B
C
D
A
B
C
D
Dim
A-405
DO-35
DO-41
Plastic
DO-41
Glass
DO-15
DO-201
DO-201AD
R-6
T-1
5W
5KP
5KW
Min
25.40
Max
Min
4.10
4.06
5.50
Max
5.20
Min
0.53
0.71
0.686
Max
0.64
Min
2.00
2.00
2.60
Max
2.70
25.40
4.00
0.60
2.00
25.40
5.21
0.864
2.72
25.40
4.70
0.863
2.71
25.40
7.62
0.889
3.60
25.40
8.50
9.53
0.96
1.06
4.80
5.21
25.40
7.20
9.50
1.20
1.30
4.80
5.30
25.40
8.60
9.10
1.20
1.30
8.60
9.10
25.40
2.60
3.20
0.53
0.64
2.20
2.60
25.40
8.38
8.89
0.94
1.09
3.30
3.68
25.40
8.60
0.95
1.07
9.53
25.40
9.00
1.20
1.30
8.00
Axial Devices (Through-Hole)
Millimeters
SOP-8 / TSSOP-8
Min.
A
1.35
/ 1.0
1.75
/ 1.2
A1
0.10
/ 0.1
0.25
/ 0.15
D
4.80
/ 2.9
5.00
/ 3.1
E
3.80
/ 4.3
4.00
/ 4.5
H
5.80
/ 6.2
6.20
/ 6.6
L
0.40
/ -
1.27
/ -
e1
0.33
/ -
0.51
/ -
e2
1.27BSC
/ 0.65BSC
Dim
Max.
H
E
e1
e2
D
A
A1
0.004max.
SOP-8 / TSSOP-8
P.31
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT8099LT1 Amplifier Transistor
MMBT6517LT1 High Voltage Transistor(NPN Silicon)
MMBT5088LT1 Low Noise Transistors
MMBT5089LT1 Low Noise Transistors
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MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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