參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5770
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN RF Transistor
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 287K
代理商： MMBT5770
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBT5770 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
M
July 2007
MMBT5770
NPN RF Transistor
This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.
Sourced from process 43.
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
* Device mounted on FR-4PCB 1.6”
×
1.6”
×
0.06”.
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
, T
STG
Collector-Base Voltage
30
V
Collector-Emitter Voltage
15
V
Emitter-Base Voltage
4.5
V
Collector Current - Continuous
10
nA
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°
C
Symbol
Parameter
Max.
Units
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
225
1.8
mW
mW/
°
C
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Case
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
556
°
C/W
Test Condition
Min.
Max.
Units
Off Characteristics
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
On Characteristics *
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 1.0
μ
A, I
E
= 0
30
V
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
I
C
= 3.0 mA, I
B
= 0
15
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
3
V
Collector-Cutoff Current
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
50
nA
h
FE
V
CE (sat)
V
BE (sat)
Small Signal Characteristics
DC Current Gain
V
CE
= 1.0V, I
C
= 3.0mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1.0mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1.0mA
30
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
V
Base-Emitter Saturation Voltage
1.0
V
f
T
Current Gain Bandwidth Product
I
C
= 4.0mA, V
CE
= 10V, f = 100MHz
600
MHz
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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