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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5551LT1 |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 高壓晶體管（NPN硅） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | MMBT5551LT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON |
| MMBTA06 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBTA05 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBTA05 | NPN (DRIVER TRANSISTOR) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5551LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT5551LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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