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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5551-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | MMBT5551-7 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT5551 | 80V, 50mA Operational Amplifiers 7-DDPAK -40 to 125 |
| MMBT5551W | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT5551 | High Voltage Transistors |
| MMBT5551LT1 | 80V, 50mA Operational Amplifiers 7-DDPAK -40 to 125 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5551-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=160V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT5551LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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