參數資料
型號： MMBT5550LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： High Voltage Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 高壓晶體管（NPN硅）
文件頁數： 2/6頁
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代理商： MMBT5550LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VCE(sat)
—
—
—
0.15
0.25
0.20
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VBE(sat)
—
—
—
1.0
1.2
1.0
Vdc
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5550 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
MMBT6427LT1 Darlington Transistor
MMBT6427-7 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBT6427 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125
MMBT6427 NPN (DARLINGTON TRANSISTOR)
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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