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參數資料
| 型號： | MMBT5401 |
| 廠商： | 智威科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON |
| 中文描述： | 高壓硅晶體管進步黨 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 189K |
| 代理商： | MMBT5401 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
150
200
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
20
1.0
5.0
F
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
70
50
20
30
50
100
VCE = –1.0 V
VCE = –5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.9
0.1
0.5
2.0
10
0.2
1.0
5.0
20
50
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
Figure 3. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
,
I
μ
103
0.1
0.3
0.2
102
101
100
10–1
10–2
10–3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IC = 1.0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
VCE = 30 V
IC = ICES
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
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