參數(shù)資料
型號： MMBT5401
廠商： Transys Electronics Ltd.
英文描述： PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 進步黨小信號晶體管表面貼裝
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： MMBT5401
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –50 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
hFE
50
60
50
—
240
—
—
VCE(sat)
—
—
–0.2
–0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
—
–1.0
–1.0
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small Signal Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure
(IC = –200
μ
Adc, VCE = –5.0 Vdc, RS = 10
,
f = 1.0 kHz)
NF
—
8.0
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON
MMBT5550LT1 High Voltage Transistors
MMBT5550 High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD
MMBT5550 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT5550LT1G High Voltage Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5401 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23
MMBT5401_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*