參數(shù)資料
型號： MMBT5401/S62Z
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： MMBT5401/S62Z
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PDF描述
MMBT5401/D87Z 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551/S62Z 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551/D87Z 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MA42111-510 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401WT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MMBT5401WT1G - Tape and Reel
MMBT5550 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
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