參數(shù)資料
型號： MMBT5089LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Low Noise Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 低噪聲晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT5089LT1
PBL
-
+
A
B
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PBU
-
~
~
+
B
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H
M
N
P
A
E
L
K
J
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.50
Max
19.50
15.40
16.40
6.50
19.00
6.20
4.60
5.60
1.50
2.00
1.30 Typical
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min
22.70
Max
23.70
3.80
4.10
4.20
4.70
1.70
2.20
10.30
11.30
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6.80
4.80
5.80
19.30
25.40
16.80
17.80
6.60
7.10
4.70
5.20
1.20
1.30
KBJ
A
B
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J
K
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R
C
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J
K
L
M
N
P
+
A
B
D
KBP
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
14.25
Max
14.75
10.20
10.60
2.29 Typical
14.25
14.73
3.56
0.86
0.76
0.86
1.17
2.8 X 45
°
Chamfer
0.80
1.42
J
K
L
M
N
P
1.10
3.35
3
°
Nominal
2
°
Nominal
0.30
3.65
0.64
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
24.80
Max
25.20
14.70
15.30
4.00 Nominal
17.20
17.80
0.90
1.10
7.30
3.10
3.40
3.30
7.70
3.70
1.50
1.90
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9.70
2.50
2.90
3.40
3.80
4.40
4.80
0.60
0.80
Dim
A
B
C
D
E
G
H
I
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
29.70
Max
30.30
19.70
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7.70
7.30 7.70
2.00
2.40
0.90
1.10
2.30
3.0 X 45
°
4.40
2.70
4.80
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3.80
3.10
3.40
2.50
2.90
0.60
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GBJ
_
B
C
D
E
E
G
H
K
J
I
L
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S
A
GBU
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~
+
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F
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P
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C
GBU
Min
21.8
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Max
22.3
3.5
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17.5
3.2 X 45
°
18.3
18.0
18.8
3.30
3.56
0.46
0.56
0.76
1.0
P.33
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MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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