參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT451-TP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 121K
代理商： MMBT451-TP
MMBT451
NPN Silicon Planar
High Perfromance
Transistor
Features
1.0 Amp continuous current
Ptot=500mW
Maximum Ratings*
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
60
V
VCBO
Collector-Base Voltage
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
ICM
Peak Pulse Current
2.0
A
IC
Collector Current, Continuous
1.0
A
IB
Base Current
200
mA
Ptot
Power Dissipation at Tamb=25
OC
500
mW
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
VCEO(sus)
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(IC=10mAdc, IB=0)
60
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100ìAdc, IE=0)
80
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=100ìAdc, IC=0)
5.0
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=60Vdc, IE=0.4Vdc)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=4.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage*
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)
---
0.35
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage*
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)
---
1.1
Vdc
hFE
DC Current Gain
(VCE=10Vdc, IC=150mAdc)
(VCE=10Vdc, IC=1.0Adc)
50
10
150
---
fT
Transition Frequency
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz )
150
---
MHz
Cobo
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz )
---
15
pF
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300us. Duty cycle<2%
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
Marking Code: MMBT451=451
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT451 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5087LT3 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5087S62Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5086S62Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5086L99Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT489LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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