參數(shù)資料
型號： MMBT4403W
廠商： PanJit International Inc.
英文描述： PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 進步黨一般用途開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： MMBT4403W
MMBT4403W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
= 25
C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
Test Condition
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector - Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)
CE0 I
C
=-1.0mA, I
B
=0
-40
-
-
V
Collector - Base Breakdown Voltage
V
(BR)
CB0 I
C
=-100uA, I
E
=0
-40
-
-
V
Emitter - Base Breakdown Voltage
V
(BR)
EB0 I
E
=-100uA, I
C
=0
-5.0
-
-
V
Base Cutoff Current
I
BEV
V
CE
=-35V, V
EB
=-0.4V
-
-
-100
nA
Collector Cutoff Current
I
CEX
V
CE
=-35V, V
EB
=-0.4V
-
-
-100
nA
DC Current Gain
h
FE
I
C
=-0.1mA, V
CE
=-1.0V
I
C
=-1.0mA, V
CE
=-1.0V
I
C
=-10mA, V
CE
=-1.0V
I
C
=-150mA, V
CE
=-2.0V
I
C
=-500mA, V
CE
=-2.0V
30
60
100
100
20
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
Collector - Emitter Saturation Voltage
V
CE(SAT)
I
C
=-150mA, I
B
=-15 mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
-
-
-
-
-0.4
-0.75
V
Base - Emitter Saturation Voltage
V
BE(SAT)
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
-0.75
-
-
-
-0.95
-1.3
V
Current-Gain – Bandwidth Product
f
T
I
C
=-20mA, V
CE
=-10V,
f=100MHz
200
-
-
MHz
Collector - Base Capacitance
C
CBO
V
CB
=-5.0V, I
E
=0, f=1MHz
-
-
8.5
pF
Emitter - Base Capacitance
C
EBO
V
CB
=-0.5V, I
C
=0, f=1MHz
-
-
30
pF
Delay Time
t
d
-
-
15
ns
Rise Time
t
r
V
CC
=-30V, V
BE
=-2.0V,
I
C
=-150mA, I
B1
=-15mA
-
-
20
ns
Storage Time
t
s
-
-
225
ns
Fall Time
t
f
V
CC
=-30V, I
C
=-150mA,
I
B1
=I
B2
=15mA
-
-
30
ns
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Fig. 1. Turn-On Time
Fig. 2. Turn-Off Time
C
S
< 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
10 to 100ns
Duty Cycle ~ 2.0%
-16V
< 2ns
0+2V
C
S
< 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+14V
1 to 100us
Duty Cycle = 2.0%
-16V
<20ns
+4V
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