| 型號: | MMBT4125 |
| 廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù): | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商: | MMBT4125 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA13/D26Z{OPTION18} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13/D28Z | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13/D75Z{OPTION5} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13/D81Z | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13/D89Z{OPTION5} | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT4125LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| MMBT4126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |