參數資料
型號： MMBT4124
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 2/2頁
文件大小： 158K
代理商： MMBT4124
相關PDF資料
PDF描述
MMBT4124 NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT4124 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT4124 NPN General Purpose Amplifier
MMBT4126 Replaced by OPA4820 : Wideband, Low Power, Quad Voltage Feedback Op Amp 14-PDIP
MMBT4126 Replaced by OPA4820 : Wideband, Low Power, Quad Voltage Feedback Op Amp 14-SOIC
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBT4124-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4124-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4124LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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