參數(shù)資料
型號： MMBT3906W
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 0K
代理商： MMBT3906W
PAGE . 1
May 12.2010-REV.00
MMBT3906W
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
150 mWatts
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage V
CE = -40V
Collector current I
C = -200mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Apporx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
Marking: S2A
POWER
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Symbol
Value
Units
Collector - Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Collector - Base Voltage
VCBO
-40
V
Emitter - Base Voltage
VEBO
-5.0
V
Collector Current - Continuous
I C
-200
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Symbol
Value
Units
Max Power Dissipation (Note 1)
P
TOT
150
mW
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Rθ
JA
830
OC/W
Junction Temperature
T
J
-55 to 150
OC
Storage Temperature
T
STG
-55 to 150
OC
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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