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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3906FN3T/R7 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | MMBT3906FN3T/R7 |
PAGE . 1
REV.0.2-JUL.18.2009
MMBT3906FN3
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
250 mWatts
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -40V
Collector current IC = -200mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: DFN 3L, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Marking: AD
POWER
ABSOLUTE RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm.
0.042(1.05)
0.037(0.95)
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.014(0.36)
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.002(0.05) MAX.
0.026(0.65)
0.021(0.55)
0.0
(0.55)
0.047(0.45)
22
0.0
(0.55)
0.047(0.45)
22
0.0
(0.20)
0.004(0.10)
08
0.0
(0.20)14
0.0
(0.20)
0.004(0.10)
08
DFN 3L
Unit : inch(mm)
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCTDESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
Parameter
Symbol
Value
Units
Collector - Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Collector - Base Voltage
VCBO
-40
V
Emitter - Base Voltage
VEBO
-5.0
V
Collector Current - Continuous
I C
-200
mA
Parameter
Symbol
Value
Units
Max Power Dissipation (Note 1)
PTOT
250
mW
Thermal Resistance , Junction to Ambient
RJA
500
O
C/W
Juncti on Temp erature
TJ
-5 5 t o + 15 0
O
C
S torag e Temp erature
TSTG
-5 5 t o + 15 0
O
C
2
3
1
2
3
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| MMBT3906-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=40V IC=100mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT3906GH | 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |
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