參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3906
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 882K
代理商： MMBT3906
2008-02-29
3
SMBT3906...MMBT3906
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
IC = 1 mA, IB = 0
V(BR)CEO
40
-
V
Collector-base breakdown voltage
IC = 10 A, IE = 0
V(BR)CBO
40
-
Emitter-base breakdown voltage
IE = 10 A, IC = 0
V(BR)EBO
6
-
Collector-base cutoff current
VCB = 30 V, IE = 0
ICBO
-
50
nA
DC current gain1)
IC = 100 A, VCE = 1 V
IC = 1 mA, VCE = 1 V
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
60
80
100
60
30
-
300
-
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 50 mA, IB = 5 mA
VCEsat
-
0.25
0.4
V
Base emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 50 mA, IB = 5 mA
VBEsat
0.65
-
0.85
0.95
1Pulse test: t < 300s; D < 2%
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PDF描述
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