參數(shù)資料
型號： MMBT3904T-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： MMBT3904T-7
DS30270 Rev. 2 - 2
3 of 3
MMBT3904T
0
5
15
10
0.1
1
10
100
C
, INPUT CAPACITANCE (pF)
IBO
C
, OUTPUT CAPACITANCE (pF)
OBO
V
, COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
CB
Fig. 2, Input and Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Cibo
Cobo
f = 1MHz
0
100
150
50
200
250
0
100
200
P , POWER DISSIPATION (mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Power Derating Curve
(see Note 1)
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
V
, COLLECTOR-EMITTER (V)
CE(SAT)
SATURATION VOLTAGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Typical Collector-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
I
C
I
B
= 10
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
, DC CURRENT GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, Typical DC Current Gain vs
Collector Current
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V
= 1.0V
CE
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
V
, BASE-EMITTER (V)
BE(SAT)
SATURATION VOLTAGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Typical Base-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
I
C
I
B
= 10
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PDF描述
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MMBT3906M TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT3904-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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