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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3640LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 15/23頁 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | MMBT3640LT3 |
Package Outline Dimensions
8–8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.13 (0.005) RADIUS OF TRUE
POSITION AT SEATING PLANE AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
2. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
3. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH.
4. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
17
14
8
B
A
F
HG
D
K
C
N
L
J
M
SEATING
PLANE
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.715
0.770
18.16
19.56
B
0.240
0.260
6.10
6.60
C
0.145
0.185
3.69
4.69
D
0.015
0.021
0.38
0.53
F
0.040
0.070
1.02
1.78
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.052
0.095
1.32
2.41
J
0.008
0.015
0.20
0.38
K
0.115
0.135
2.92
3.43
L
0.300 BSC
7.62 BSC
M
0
10
0
10
N
0.015
0.039
0.39
1.01
__
_
CASE 646–06
14–PIN DIP
PLASTIC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
–A–
B
F
C
S
H
G
D
J
L
M
16 PL
SEATING
18
9
16
K
PLANE
–T–
M
A
M
0.25 (0.010)
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.740
0.770
18.80
19.55
B
0.250
0.270
6.35
6.85
C
0.145
0.175
3.69
4.44
D
0.015
0.021
0.39
0.53
F
0.040
0.70
1.02
1.77
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.050 BSC
1.27 BSC
J
0.008
0.015
0.21
0.38
K
0.110
0.130
2.80
3.30
L
0.295
0.305
7.50
7.74
M
0
10
0
10
S
0.020
0.040
0.51
1.01
_
CASE 648–08
16–PIN DIP
PLASTIC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906WT3 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904WT3 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT3646 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3646_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3702 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3702_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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