| 型號: | MMBT3640L |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝: | CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大小: | 33K |
| 代理商: | MMBT3640L |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2369S62Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369L99Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2484D87Z | 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2484S62Z | 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2484LT3 | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3640LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MMBT3645 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| MMBT3646 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3646_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3702 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |