參數(shù)資料
型號: MMBT2907AE
廠商: 江蘇長電科技股份有限公司
英文描述: TRANSISTOR
中文描述: 晶體管
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: MMBT2907AE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Delay time
t
d
t
r
t
S
t
f
10
nS
Rise time
V
CC
=-30V,
I
C
=-150mA , I
B1
=-15mA
40
nS
Storage time
225
nS
Fall time
V
CC
=-6V, I
C
=-150mA
I
B1
=-I
B2
=-15mA
30
nS
Typical Characteristics
MMBT2907AE
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBT2907A-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AGH 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon
MMBT2907A-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-HF 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2