參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2484
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述： 迷你型離散半導(dǎo)體元件
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： MMBT2484
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
NOISE VOLTAGE
e
e
I
N
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k
10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
μ
A
30
μ
A
RS
≈
0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS
≈
0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
RS
≈
0
10
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
μ
A
100
μ
A
10
μ
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
70
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
N
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
3.0 mA
1.0 mA
10
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
Figure 7. Noise Figure
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(NPN Silicon)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor
MMBT2907 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT2907ALT3 General Purpose Transistors
MMBT2907ALT3G General Purpose Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2484_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT28S 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*