參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369LT1
廠商： 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： Switching Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 開(kāi)關(guān)晶體管（NPN硅）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： MMBT2369LT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
h
V
C
°
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Minimum Current Gain Characteristics
VCE = 1 V
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
–15
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C and 75
°
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Saturation Voltage Limits
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Typical Temperature Coefficients
β
F = 10
TJ = 25
°
C
MAX VBE(sat)
MIN VBE(sat)
MAX VCE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(25
°
C to 125
°
C)
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE(sat)
–55
°
C to +25
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.4 mV/
°
C
25
°
C to 125
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.3 mV/
°
C
θ
VC
θ
VB
APPROXIMATE DEVIATION
FROM NOMINAL
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PDF描述
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