參數(shù)資料
型號(hào): MMBT2369L
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Switcing Transistors
中文描述: Switcing晶體管
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 304K
代理商: MMBT2369L
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
SOT–23 (TO–236AB)
ISSUE AE
STYLE 6:
PIN 1.
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369LT1 Switcing Transistors
MMBT2369LT1 Switching Transistors
MMBT2369A NPN Switching Transistor
MMBT2369LT1 Switching Transistors(NPN Silicon)
MMBT2369ALT1 Switching Transistors(NPN Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2369LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369LT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors NPN Silicon
MMBT2369LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369LT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors
MMBT2369LT3 制造商:Motorola 功能描述:2369 MOT'91 T/R LOC: S2C7A