型號: | MMBT2222LT1 |
廠商: | 樂山無線電股份有限公司 |
英文描述: | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
中文描述: | 通用晶體管(NPN硅) |
文件頁數(shù): | 3/8頁 |
文件大?。?/td> | 253K |
代理商: | MMBT2222LT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBT2369ALT1 | Switching Transistors |
MMBT2369 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
MMBT2369L | Switcing Transistors |
MMBT2369LT1 | Switcing Transistors |
MMBT2369LT1 | Switching Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MMBT2222LT1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
MMBT2222LT1_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
MMBT2222LT1_06 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
MMBT2222LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
MMBT2222LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |