參數資料
型號： MMBT2222
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
中文描述： npn型（通用晶體管）
文件頁數： 4/8頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： MMBT2222
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 5. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
50
100
200
t
10
20
70
5.0
100
5.0 7.0
30
50
200
10
7.0
30
20
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tr @ VCC = 30 V
td @ VEB(off) = 2.0 V
td @ VEB(off) = 0
3.0
2.0
300
500
500
t
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
Figure 6. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
70
100
5.0 7.0
30
50
200
300
500
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
t
′
s = ts – 1/8 tf
tf
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0.1
Figure 8. Source Resistance Effects
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
1.0 2.0
5.0 10
20
50
0.2
0.5
0
0.01 0.02
100
N
0.05
RS = OPTIMUM
RS =
SOURCE
RS =
RESISTANCE
IC = 1.0 mA, RS = 150
500
μ
A, RS = 200
100
μ
A, RS = 2.0 k
50
μ
A, RS = 4.0 k
f = 1.0 kHz
IC = 50
μ
A
100
μ
A
500
μ
A
1.0 mA
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
3.0
5.0
7.0
10
2.0
0.1
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
0.2 0.3
0.5 0.7
Ccb
20
30
Ceb
Figure 10. Current–Gain Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
500
f
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
VCE = 20 V
TJ = 25
°
C
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