| 型號(hào): | MMBFJ304 |
| 廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大小: | 91K |
| 代理商: | MMBFJ304 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA18/D81Z | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10/D74Z{OPTION18} | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH34/D74Z{OPTION5} | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA06/D26Z | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA43/D29Z | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBFJ305 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TO-236AB JFET RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MMBFJ305_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MMBFJ309 | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MMBFJ309_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MMBFJ309_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |