參數(shù)資料
型號： MMBF5484LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 12/38頁
文件大?。?/td> 467K
代理商： MMBF5484LT3
MMBF5484LT1
4–174
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS (Continued)
Input Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
5.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 10 MHz)
Crss
—
1.0
pF
Output Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Coss
—
2.0
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Noise Figure
(VDS = 15 Vdc, ID = 1.0 mAdc, YG′ = 1.0 mmhos)
(RG = 1.0 k, f = 100 MHz)
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, YG′ = 1.0 mhos)
(RG = 1.0 M, f = 1.0 kHz)
NF
—
3.0
2.5
dB
Common Source Power Gain
(VDS = 15 Vdc, ID = 1.0 mAdc, f = 100 MHz)
Gps
16
25
dB
P
G
,POWER
GAIN
(dB)
POWER GAIN
2.0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
Figure 1. Effects of Drain Current
4.0
24
8.0
12
16
20
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
f = 100 MHz
400 MHz
Tchannel = 25°C
VDS = 15 Vdc
VGS = 0 V
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PDF描述
MMBF5486LT1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBF5485_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486_S00Z 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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