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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD6050-TP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MMBD6050-TP |
Leakage Current Versus Junctlon Temparature
Admlssible Repetitive Peak Forwqrd Current Versus Pulse Duration
www.
mc c semi
.c om
M C C
MMBD6050
FIG 5
FIG 6
Revision: 5 2008/01/01
TM
Micro Commercial Components
3 of 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBT200A-HIGH | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| MMBTA63 | PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD6050-V | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode, Small Signal; 200 mA; 70 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 1.1 V (Max.); SOT-2 |
| MMBD6050-V_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode |
| MMBD6050-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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