參數(shù)資料
型號(hào): MMBD495S
廠商: PanJit International Inc.
英文描述: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
中文描述: 表面貼裝肖特基
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
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代理商: MMBD495S
PAGE . 2
REV.0-DEC.21.2005
MMBD495A/C/S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
1
10
100
1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Forward Voltage, V
F
(V)
F
F
T
J
= 25°C
T
J
= -25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 125°C
Fig. 1. Typical Forward
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0
10
20
30
40
Reverse Voltage, V
R
(V)
R
R
T
J
= 25°C
T
J
= -25°C
T
J
= 75°C
T
J
= 125°C
Fig. 2. Typical Reverse
1
10
100
0
10
20
30
Reverse Voltage, V
R
(V)
T
T
f = 1MHz
Fig. 3. Typical Capacitance
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBD5004BRM 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY
MMBD5004BRM-7 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SM SIG DIODE SWTCH 350MW 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD5004C-7 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBD5004S 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE