參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD4148
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed switching diode
中文描述： 0.215 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： MMBD4148
MMBD4148_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 June 2009
3 of 10
NXP Semiconductors
MMBD4148
High-speed switching diode
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
When switched from I
F
= 10 mA to I
R
= 10 mA; R
L
= 100
; measured at I
R
= 1 mA.
When switched from I
F
= 10 mA; t
r
= 20 ns.
[2]
[3]
Table 6.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
thermal resistance from
junction to tie-point
Conditions
in free air
Min
Typ
-
Max
500
Unit
K/W
[1]
-
R
th(j-t)
-
-
330
K/W
Table 7.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
[1]
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 75 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1
1.25
30
0.5
30
50
1.5
4
1.75
mV
mV
V
V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
pF
ns
V
I
R
reverse current
C
d
t
rr
V
FR
diode capacitance
reverse recovery time
forward recovery voltage
[2]
-
[3]
-
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PDF描述
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