參數(shù)資料
型號： MMBD352WT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual Schottky Barrier Diode
中文描述： SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
封裝： LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBD352WT1G
MMBD352WT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Forward Voltage
(I
F
= 10 mAdc)
V
F
0.60
V
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 7.0 V)
I
R
0.25
10
A
Capacitance
(V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
C
1.0
pF
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 2. Capacitance
I
F
0.7
0.8
0.3
0.4
0.5
0.6
,
T
A
= 85
°
C
T
A
= 40
°
C
T
A
= 25
°
C
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
1.0
0.9
0.8
0.6
0.7
1.0
2.0
3.0
4.0
C
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PDF描述
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MMBD353LT1G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
MMBD353LT3 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
MMBD353LT3G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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