參數(shù)資料
型號： MMBD2838LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Monolithic Dual Switching Diodes
中文描述： 0.1 A, 50 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-18, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： MMBD2838LT1G
MMBD2837LT1, MMBD2838LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (EACH DIODE)
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I
(BR)
= 100 Adc)
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
V
(BR)
35
75
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3.)
(V
R
= 30 Vdc)
(V
R
= 50 Vdc)
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
I
R
0.1
0.1
Adc
Diode Capacitance (V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
C
T
4.0
pF
Forward Voltage (I
F
= 10 mAdc)
Forward Voltage
(I
F
= 50 mAdc)
Forward Voltage
(I
F
= 100 mAdc)
V
F
1.0
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1)
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.
t
rr
4.0
ns
Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. t
p
t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
V
R
100 H
0.1 F
50 OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
R(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at i
R(REC)
= 1.0 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
MMBD301LT1G Silicon Hot−Carrier Diodes SCHOTTKY Barrier Diodes
MMBD301LT3 Silicon Hot−Carrier Diodes SCHOTTKY Barrier Diodes
MMBD301LT3G Silicon Hot−Carrier Diodes SCHOTTKY Barrier Diodes
MMBD352LT1G Dual Hot Carrier Mixer Diodes
MMBD352LT3 Dual Hot Carrier Mixer Diodes
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參數(shù)描述
MMBD2838LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 75V, 150mA, SOT-23
MMBD3000T1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Switching Diode
MMBD3004 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Switching Diode
MMBD3004 RF 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 350mW SMD Switching Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD3004A 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
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