參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD2836LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Monolithic Dual Switching Diodes
中文描述： 0.1 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： MMBD2836LT1
Zowie Technology Corporation
Monolithic Dual Switching Diode
MMBD2836
1
2
3
SOT-23
Rating
Symbol
V
R
I
F
Value
Unit
Vdc
mAdc
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
Continuous Reverse Voltage
Peak Forward Current
75
100
Characteristic
Symbol
Max.
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance, Junction to Ambient
o
C
C
P
D
225
1.8
556
mW
mW /
o
C
Total Device Dissipation Alumina Substrate,
(2)
T
A
=25
Derate above 25
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
o
C
C
P
D
V
F
300
2.4
417
-
-
-
1000
1000
1200
( I
F
=10 mAdc )
( I
F
=50 mAdc )
( I
F
=100 mAdc )
mW
mW /
o
C
o
C / W
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
DEVICE MARKING
MMBD2836=A2X
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
V
(BR)
75
-
Vdc
mVdc
OFF CHARACTERISTICS
R
JA
o
C / W
o
C
R
JA
T
J,
T
STG
Forward Voltage
I
R
-
-
0.1
uAdc
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
=50 Vdc )
Reverse Breakdown Voltage
( I
BR
=100 uAdc )
C
J
-
4.0
pF
Diode Capacitance
( V
R
=0, f=1.0MH
Z
)
trr
-
4.0
nS
-55 to +150
Reverse Recovery Time
( I
F
=I
R
=10 mAdc, I
R
(REC=1.0mAdc, measured at I
R
=1.0mA R
L=
100 )
(1) FR-5=1.0 x 0.75 x 0.062in.
(2) Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024in. 99.5% alumina.
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
CATHODE
1
CATHODE
ANODE
3
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD2836LT1 Monolithic Dual Switching Diodes
MMBD2836LT1 Monolithic Dual Switching Diodes
MMBD3004A Surface Mount Switching Diode
MMBD3004C Surface Mount Switching Diode
MMBD3004BRM SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE ARRAY
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參數(shù)描述
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