參數(shù)資料
型號(hào)： MJW3281A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
中文描述： 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD
封裝： CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MJW3281A
MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP)
http://onsemi.com
3
Figure 3. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 4. DC Current Gain, VCE = 20 V
Figure 5. DC Current Gain, VCE = 5 V
Figure 6. DC Current Gain, VCE = 5 V
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hF
hF
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Typical Output Characteristics
I
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Typical Output Characteristics
I
PNP MJW1302A
NPN MJW3281A
hF
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP MJW1302A
PNP MJW1302A
NPN MJW3281A
NPN MJW3281A
45
25
20
15
10
5.0
0
5.0
0
10
15
20
25
45
25
20
15
10
0
5.0
0
10
15
20
25
5.0
1.5 A
1 A
0.5 A
IB = 2 A
TJ = 25
°
C
30
40
35
1.5 A
1 A
0.5 A
IB = 2 A
TJ = 25
°
C
40
35
30
1000
100
10
10
1.0
0.1
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 20 V
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 20 V
100
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 5 V
1000
100
10
100
10
1.0
0.1
TJ = 100
°
C
25
°
C
-25
°
C
VCE = 5 V
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PDF描述
MJW18020 NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar
MJW21193 Silicon Power Transistors
MJW21194 Silicon Power Transistors
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MJW3281AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 230V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJWI10 制造商:MINMAX 制造商全稱:Minmax Technology Co., Ltd. 功能描述:DC/DC CONVERTER 10W, High Power Density
MJWI20-24S24 制造商:MINMAX 制造商全稱:Minmax Technology Co., Ltd. 功能描述:DC/DC CONVERTER 20W, Highest Power Density
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