參數(shù)資料
型號(hào)： MJF32C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
中文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： MJF32C
MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP)
http://onsemi.com
5
V
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
103
-0.4
101
100
10-2
102
10-1
10-3
107
105
104
102
106
103
IB, BASE CURRENT (mA)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.05 0.07
0.3
3.0
0.03
100
70
50
30
10
7.0
5.0
0.1
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. “On” Voltages
VCE = 2.0 V
0.7 1.0
0.5
1.6
2.0
2.0
5.0
20
1000
1.0
0.8
0.4
10
0
100
200
500
50
25
°
C
TJ = 150
°
C
-55
°
C
1.2
1.4
0.003
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
0.8
0.4
1.2
0.6
0.2
0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
+2.5
IC = 0.3 A
20
60
80
100
120
160
140
40
V
TJ = 25
°
C
1.0 A
3.0 A
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
θ
°
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0.0030.005 0.01
0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/2
TJ = -65
°
C TO +150
°
C
*
θ
VC FOR VCE(sat)
θ
VB FOR VBE
Figure 11. Temperature Coefficients
,
I
-0.3
-0.2
-0.1
0
+0.1
+0.2
+0.3
+0.4
+0.5
+0.6
Figure 12. Collector Cut–Off Region
Figure 13. Effects of Base–Emitter Resistance
VCE = 30 V
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
ICES
R
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC
≈
ICES
IC = 2 x ICES
(TYPICAL ICES VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF44H11 Complementary Power Transistors
MJF45H11 Complementary Power Transistors
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參數(shù)描述
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MJF36400 制造商:Square D by Schneider Electric 功能描述:MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 400A
MJF36800 制造商:Schneider Electric 功能描述:MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 800A
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MJF44H11 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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