參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5850BG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 26/63頁(yè)
文件大小： 445K
代理商： MJE5850BG
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5851DW 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5852DW 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5850BC 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5850BS 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5852AF 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5850G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJE5851 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5851G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5852 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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