參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5850BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 27/63頁
文件大?。?/td> 445K
代理商： MJE5850BD
5–9
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BS
LEADFORM AF
.050 REF.
.200 REF.
.100 REF.
MOUNTING
SURFACE
LEAD
.040 MIN.
0.018
± .005
0.080
± 0.015
0.296
± 0.020
.557
(REF.)
.660
± .02
0.607
± 0.015
0.325
± 0.020
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PDF描述
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MJE5850G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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MJE5851G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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