- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄80631 > MJE5742N (MOTOROLA INC) 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE5742N |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MJE5742N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE8501C | 2.5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE5852WD | 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE5731U2 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13008AJ | 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE12007W | 2.5 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE5850 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5850_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS |
| MJE5850G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5850G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE5851 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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