參數(shù)資料
型號： MJE5742BA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 23/61頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： MJE5742BA
MJE5740 MJE5741 MJE5742
3–642
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA AND INDUCTIVE SWITCHING
RESISTIVE
SWITCHING
OUTPUT WAVEFORMS
TEST
CIRCUITS
CIRCUIT
V
ALUES
TEST
W
A
VEFORMS
NOTE:
PW and VCC Adjusted for Desired IC
RB Adjusted for Desired IB1
PW
DUTY CYCLE
≤ 10%
tr, tf ≤ 10 ns
68
1 k
0.001
F
0.02
F
1N4933
270
+5 V
1 k
2N2905
47
1/2 W
100
–VBE(off)
MJE200
T.U.T.
IB
RB
1N4933
33
2N2222
1 k
MJE210
VCC
+5 V
L
IC
MR826*
Vclamp
*SELECTED FOR
≥ 1 kV
VCE
5.1 k
51
+VCC
RC
SCOPE
–4 V
D1
RB
TUT
COIL DATA:
FERROXCUBE CORE #6656
FULL BOBBIN (~16 TURNS) #16
GAP FOR 200
H/20 A
Lcoil = 200 H
VCC = 30 V
VCE(pk) = 250 Vdc
IC(pk) = 6 A
VCC = 250 V
D1 = 1N5820 OR EQUIV.
IC
VCE
IC(pk)
t1
tf
t
t2
TIME
VCE OR
Vclamp
tf CLAMPED
t1 ADJUSTED TO
OBTAIN IC
t1 ≈
Lcoil (ICpk)
VCC
t2 ≈
Lcoil (ICpk)
Vclamp
TEST EQUIPMENT
SCOPE–TEKTRONICS
475 OR EQUIVALENT
+10 V
25
s
0
– 9.2 V
tr, tf < 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
RB AND RC ADJUSTED
FOR DESIRED IB AND IC
Table 1. Test Conditions for Dynamic Performance
V
CE
,C
OLLE
CT
OR–EMI
TT
ER
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
Figure 5. Inductive Switching Measurements
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.2
0.1
1.4
0.8
1.2
10
5
2
1
0.5
0.2
1.6
1.8
0.6
0.4
hFE = 20
+25
°C
–55
°C
+150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5742AN 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5741BC 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5741AU 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5741AN 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5740BV 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5742G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 400V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE5850 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
MJE5850G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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