參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5741BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 56/61頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： MJE5741BD
Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
350
MJE2360T
15 min
0.1
10 typ
30
MJE2361T
40 min
0.1
10 typ
30
1
100
TIP29C
TIP30C
15/75
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
30
250
TIP47
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
300
TIP48
MJE5730
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
350
TIP49
MJE5731
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
400
TIP50
MJE5731A (7)
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
2
100
TIP112 (2)
TIP117 (2)
500 min
2
1.7 typ
1.3 typ
2
25(1)
50
400/700
BUL44
14/36
0.4
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
50
450/1000
BUX85
30
0.1
3.5
1.4
1
4
50
450/1000
MJE18002
14/34
0.2
3(3)
0.17(3)
1
12 typ
40
900/1800
MJE1320
3 min
1
4 typ
0.8 typ
1
80
3
80
BD241B
BD242B
25 min
1
3
40
100
BD241C
BD242C
25 min
1
3
40
TIP31C
TIP32C
25 min
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
40
150
MJE9780
50/200
0.5
5 typ
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 221A–06
(TO–220AB)
1
2
3
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5740BA 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5740DW 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5740AU 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5740AK 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5742BV 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5742 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 400V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE5742G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 400V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE5850 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
MJE5850G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*