參數(shù)資料
型號： MJE5555O
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： MJE5555O
2007. 9. 10
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MJE5555
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
Revision No : 1
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.
FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.
FEATURES
Excellent Switching Times
: tstg=2.5 S(Max.), tf=0.3 S(Max.), at IC=2.5A
High Collector Voltage : VCBO=1050V.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
1. BASE
2. COLLECTOR (HEAT SINK)
3. EMITTER
DIM
MILLIMETERS
TO-220AB
1.46
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
O
0.8
0.1
+
_
2.8
0.1
+
_
2.54
0.2
+
_
1.27
0.1
+
_
1.4
0.1
+
_
13.08
0.3
+
_
3.6
0.2
+
_
+
_
9.9
0.2
+
_
9.2
0.2
+
_
4.5
0.2
+
_
2.4
0.2
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
0.5+0.1/-0.05
3.7
1.5
A
F
B
J
G
K
M
L
E
I
O
C
H
NN
Q
D
Q
P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
1050
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
12
V
Collector Current
DC
IC
5
A
Pulse
ICP
10
Base Current
IB
2.5
A
Collector Power Dissipation (Tc=25
)
PC
75
W
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : hFE Classification
R:20
30, O:25
35, Y: 30~40
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=14V, IC=0
-
10
A
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=5V, IC=10mA
10
-
hFE(2)
VCE=3V, IC=0.8A
20
-
40
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=0.2A
-
0.5
V
IC=3.5A, IB=1A
-
1.5
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=3.5A, IB=1A
-
1.2
V
IC=2A, IB=0.5A
-
1.6
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=0.1MHz, IE=0
-
45
-
pF
Turn-On Time
ton
IB1
100
B1
I
CC
V
=250V
IB2
300
S
I
B1=+0.5A, IB2=-1.0A
2%
OUTPUT
DUTY CYCLE
INPUT
<
=
-
2.0
S
Storage Time
tstg
-
2.5
S
Fall Time
tf
-
0.3
S
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PDF描述
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